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说话间大家就进入了实验室。
此时从各地来的专家们都聚在一起时刻待命。
叶羽来到了一张办公桌前，从公文包里拿出了文件，道：“老师，苏院士，这些图纸就是3nm芯片的设计图。”
图纸铺开到了桌面上，周围的专家们都围了上来。
大家直接跳过了不重要的外形设计，直接去看栅极。
“嘶，垂直晶体管！？”
“我的天，我看到了什么！”
“这……这简直颠覆了芯片设计的观念啊！”
几个专家都露出惊愕的表情，他们都被叶羽这个大胆的想法所震惊！
就连苏成贵和顾援军都陷入了沉思。
现在所有芯片光刻的晶体管都是cmos管。
这种晶体管有三个重要的组成部分。
源极、栅极和漏极。
电流会从源极流入到漏极，栅极就是开关相当于一个闸门，通过控制高电压和低电压的转换来模拟出二进制的0和1。
说简单点，就是电子需要通过一个管道，栅极就是管道的阀门。
管道叫做导电沟道。
其实芯片在二十纳米左右的时候，栅极对导电沟道电流的控制能力，就已经大幅度减弱，甚至还会发生量子隧穿反应。
这是因为cmos管的栅极和导电沟道之间有一层二氧化硅的绝缘层。
随着芯片尺寸变小，这个绝缘层就会变薄。
所以电子有一定概率通过绝缘层，形成漏电流，最终导致耗电、发热以及工作频率下降、性能提升不大等问题。
叶羽的解决办法简直就是别出心裁！特别妙！
以前的源极和漏极是一个平面的二维结构，直接贴在导电沟道上。
而叶羽用的是3d的思路，把源极和栅极做成像鲨鱼鳍片“立”起来的样子，
直接让栅极把导电沟道给“包”起来，
这样就能在栅栏宽度不变的情况下，巧妙地增大接触面积。
从而提高栅极对电流的控制能力！
而且，缩短了导电沟道的长度！
可以容纳更多的晶体管！
这简直就是一举两得！
苏成贵忍不住惊叹：“援军，你这个学生，真是不得了。”
不得了。
仅仅三个字，就已经是苏成贵院士的第一个评价了！
而能得到这个评价的，全世界不超过三个！
第一个是向国华、第二个是顾援军、第三个便是叶羽！
这是什么概念？
第一个向国华，成院士了。
第二个顾援军，最年轻的院士。
现在是叶羽！
其他的专家都满脸羡慕的看了过来。
“小叶，你这个想法不得不说很大胆，你总是能打破思维固化。”
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